型号:  RW1A030APT2CR

功能描述:  MOSFET Trans MOSFET P-CH 12V 3A

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-563T-6

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  12 V

Id-连续漏极电流:  3 A

Rds On-漏源导通电阻:  30 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  22 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  700 mW

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  RW1A030AP

晶体管类型:  1 P-Channel

商标:  ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  3.8 S

下降时间:  75 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  30 ns

工厂包装数量:  8000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  240 ns

典型接通延迟时间:  10 ns

零件号别名:  RW1A030AP

单位重量:  3 mg