型号: SCT1000N170
功能描述: MOSFET
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: HiP-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.7 kV
Id-连续漏极电流: 6 A
Rds On-漏源导通电阻: 1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
Qg-栅极电荷: 14 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 200 C
Pd-功率耗散: 120 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
系列: SCT1000N170
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: STMicroelectronics
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 600
子类别: MOSFETs
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