型号: SCT30N120
功能描述: MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: HiP-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 45 A
Rds On-漏源导通电阻: 80 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V, - 10 V
Qg-栅极电荷: 105 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 200 C
Pd-功率耗散: 270 W
配置: Single
商标名: HiP247â?¢
封装: Tube
系列: SCT30N120
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: STMicroelectronics
下降时间: 28 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 600
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 19 ns
单位重量: 38 g
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