型号: SE4606
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.5A,5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA,2V @ 250uA 漏源导通电阻：26mΩ @ 8.5A,10V;53mΩ @ 4.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W,2W 类型：N沟道和P沟道
制造商: SINO-IC(光宇睿芯)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 8.5A,5A
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA,2V @ 250uA
漏源导通电阻: 26mΩ @ 8.5A,10V;53mΩ @ 4.9A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 3W,2W
类型: N沟道和P沟道
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