型号:  SH8M12TB1

功能描述:  MOSFET TRANS MOSFET N/P-CH 4V

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOP-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  5 A, 4.5 A

Rds On-漏源导通电阻:  30 mOhms, 40 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V, 2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  4 nC, 8 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Reel

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:  ROHM Semiconductor

下降时间:  5 ns, 50 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  27 ns, 15 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  26 ns, 70 ns

典型接通延迟时间:  6 ns, 7 ns