型号: SI1013CX-T1-GE3
功能描述:
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 450mA（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 2.5nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 45pF @ 10V
Vgs（最大值）： ±8V
功率耗散（最大值）： 190mW（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 760 毫欧 @ 400mA，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-89，SOT-490
封装形式Package： SC-89
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 20V
连续漏极电流ID： 0.45A
无铅情况/RoHs： 否
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
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Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：郑小姐
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