型号: SI1907DL
功能描述: MOSFET
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 530 mA
Vds-漏源极击穿电压: - 12 V
Rds On-漏源导通电阻: 650 mOhms
晶体管极性: P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 8 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 270 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363-6
商标: Vishay / Siliconix
配置: Dual
最小工作温度: - 55 C
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：刘群
电话：13129599479
Q Q:
联系人：殷晓媚
电话：15919482272
Q Q:
联系人：贺文华
电话：13066866558
Q Q:
联系人：林先生
电话：13543273033
Q Q:
