型号: SI2304DS
功能描述:
制造商:
典型关断延迟时间: 18 ns
典型接通延迟时间: 4 ns
典型栅极电荷@Vgs: 4.6 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds: 147 pF V @ 10
安装类型: 表面贴装
宽度: 1.4mm
封装类型: TO-236AB
尺寸: 3 x 1.4 x 1mm
引脚数目: 3
最低工作温度: -65 °C
最大功率耗散: 830 mW
最大栅源电压: ±20 V
最大漏源电压: 30 V
最大漏源电阻值: 0.177
最大连续漏极电流: 1.7 A
最高工作温度: +150 °C
每片芯片元件数目: 1
类别: 功率 MOSFET
通道模式: 增强
通道类型: N
配置: 单
长度: 3mm
高度: 1mm
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：林先生
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