型号: SI2308DS-T1
功能描述: MOSFET 60V 2.0A 1.25
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 否
商标: Vishay / Siliconix
Id-连续漏极电流: 2 A
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 160 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.25 W
安装风格: SMD/SMT
封装 00006000 / 箱体: SOT-23-3
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 10 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 17 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
单位重量: 8.200 mg
联系人：张小姐
电话：13357276588
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖海坚
电话：13267795073
Q Q:
联系人：寒冰
Q Q:
联系人：Elaine
电话：18825244885
Q Q:
