型号: SI3585DV-T1
功能描述:
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N and P-Channel
汲极/源极击穿电压: +/- 20 V
闸/源击穿电压: +/- 12 V
漏极连续电流: 2.4 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.125 Ohms, 0.2 Ohms
配置: Dual
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-6
封装: Reel
下降时间: 30 ns at N Channel, 34 ns at P Channel
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 830 mW
上升时间: 30 ns at N Channel, 34 ns at P Channel
工厂包装数量: 3000
商标名: TrenchFET
典型关闭延迟时间: 14 ns at N Channel, 19 ns at P Channel
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