型号: SI4442DY-T1-E3/BKN
功能描述: Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
制造商: vishay / siliconix
包装: 8SOIC N
通道模式: Enhancement
最大漏源电压: 30 V
最大连续漏极电流: 15 A
RDS -于: 4.5@10V mOhm
最大门源电压: ±12 V
典型导通延迟时间: 17 ns
典型上升时间: 11 ns
典型关闭延迟时间: 125 ns
典型下降时间: 47 ns
工作温度: -55 to 150 °C
安装: Surface Mount
标准包装: Cut Tape
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