型号: SI4442DY-T1-E3/BKN
功能描述: Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
制造商: vishay / siliconix
包装： 8SOIC N
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 30 V
最大连续漏极电流： 15 A
RDS -于： 4.5@10V mOhm
最大门源电压： ±12 V
典型导通延迟时间： 17 ns
典型上升时间： 11 ns
典型关闭延迟时间： 125 ns
典型下降时间： 47 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Cut Tape
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