型号: SI4442DY-T1-E3/BKN
功能描述: Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
制造商: vishay / siliconix
包装： 8SOIC N
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 30 V
最大连续漏极电流： 15 A
RDS -于： 4.5@10V mOhm
最大门源电压： ±12 V
典型导通延迟时间： 17 ns
典型上升时间： 11 ns
典型关闭延迟时间： 125 ns
典型下降时间： 47 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Cut Tape
联系人：麦逸芬
电话：13430483190
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：蔡永记
电话：18617195508
Q Q:
联系人：吴先生
电话：13975536999
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：任先生
Q Q:
联系人：陈
电话：15013564260
Q Q:
联系人：曾香
电话：15015200707
Q Q:
