型号: SI4490DY-E3
功能描述:
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 200 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 2.85 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 80 mOhms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
封装: Tube
下降时间: 20 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 1.56 W
上升时间: 20 ns
商标名: TrenchFET
典型关闭延迟时间: 32 ns
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：吴新
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：18317142458
Q Q:
联系人：Freya
电话：13636653728
Q Q:
联系人：郭智贤
电话：13590256842
Q Q:
联系人：蔡
电话：19926677502
Q Q:
联系人：何志平
电话：15307359078
Q Q:
联系人：金鑫
Q Q:
