型号: SI4490DY-T1
功能描述: MOSFET 200V 4A 3.1W
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 否
商标: Vishay / Siliconix
Id-连续漏极电流: 2.85 A
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Rds On-漏源导通电阻: 80 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Qg-栅极电荷: 42 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.56 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 20 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 2500
商标名: TrenchFET
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
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Q Q:
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