型号:  SI4501BDY-T1-GE3

功能描述:  MOSFET -8V Vds 8V Vgs SO-8 N&P PAIR

制造商:  Vishay / Siliconix

制造商:  Vishay

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SO-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V, 8 V

Id-连续漏极电流:  9.5 A, 6.4 A

Rds On-漏源导通电阻:  17 mOhms, 27 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  800 mV, 450 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V, 8 V

Qg-栅极电荷:  25 nC, 42 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  4.5 W, 3.1 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

商标名:  TrenchFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  SI4

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:  Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:  29 S, 24 S

下降时间:  10 ns, 14 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  55 ns, 18 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  22 ns, 34 ns

典型接通延迟时间:  16 ns, 22 ns

零件号别名:  SI4501BDY-GE3

单位重量:  540 mg