型号: SI8424CDB-T1-E1
功能描述: Single N-Channel 8 V 20 mOhm 25 nC Surface Mount Power Mosfet - MICRO FOOT
制造商: Vishay
系列: TrenchFET®
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 1.2V,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 800mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 40nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 2340pF @ 4V
Vgs(最大值): ±5V
功率耗散(最大值): 1.1W(Ta),2.7W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 20 毫欧 @ 2A,4.5V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 4-uFBGA,WLCSP
封装形式Package: MicroFoot-4
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 8V
连续漏极电流ID: 10A
漏源极导通电阻RDS(ON): 20mOhms
栅源极阀值电压VGS(th): 800mV
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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