型号: SI8809EDB-T2-E1
功能描述: SI8809EDB Series 20 V 90 mOhm 900 mW P-Channel Mosfet - MICRO-FOOT
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 1.8V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 900mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 15nC @ 8V
Vgs（最大值）： ±8V
功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 90 毫欧 @ 1.5A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 4-XFBGA
封装形式Package： MicroFoot-4
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 20V
连续漏极电流ID： 2.6A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 90mOhms
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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