型号: SIHB21N60EF-GE3
功能描述:
制造商: Vishay
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 21A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 84nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2030pF @ 100V
Vgs（最大值）： ±30V
功率耗散（最大值）： 227W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 176 毫欧 @ 11A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
封装形式Package： TO-252-3
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 600V
连续漏极电流ID： 21A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 176mOhms
栅源极阀值电压VGS(th)： 2V
无铅情况/RoHs： 否
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