型号: SIHB22N60S
功能描述: Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
制造商: vishay / semiconductor
包装： 3D2PAK
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 600 V
最大连续漏极电流： 22 A
RDS -于： 190@10V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 24 ns
典型上升时间： 68 ns
典型关闭延迟时间： 77 ns
典型下降时间： 59 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Rail / Tube
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