型号: SIHB22N60E-GE3
功能描述: Vishay Siliconix/分立半导体产品
制造商: Vishay Siliconix
产品培训模块： High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 21A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 180 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 86nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1920pF @ 100V
功率 - 最大值： 227W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装： D²PAK
其它名称： SIHB22N60EGE3
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