型号:  SIHU6N65E-GE3

功能描述:  MOSFET 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)

制造商:  Vishay / Siliconix

制造商:  Vishay

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-251-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  650 V

Id-连续漏极电流:  7 A

Rds On-漏源导通电阻:  600 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  4 V

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

Qg-栅极电荷:  24 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  78 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Tube

高度:  6.22 mm

长度:  6.73 mm

系列:  E

宽度:  2.39 mm

商标:  Vishay / Siliconix

下降时间:  20 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  12 ns

工厂包装数量:  75

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  30 ns

典型接通延迟时间:  14 ns

单位重量:  330 mg