型号: SIHU6N65E-GE3
功能描述: MOSFET 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-251-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 7 A
Rds On-漏源导通电阻: 600 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 24 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 78 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 6.22 mm
长度: 6.73 mm
系列: E
宽度: 2.39 mm
商标: Vishay / Siliconix
下降时间: 20 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
工厂包装数量: 75
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
单位重量: 330 mg
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