型号: SIS330DN-T1-GE3/BKN
功能描述: Trans MOSFET N-CH 30V 19.1A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
制造商: vishay / siliconix
包装： 8PowerPAK 1212
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 30 V
最大连续漏极电流： 19.1 A
RDS -于： 5.6@10V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 16|11 ns
典型上升时间： 12|9 ns
典型关闭延迟时间： 16|19 ns
典型下降时间： 9|8 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Cut Tape
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：吴小姐，曹先生
电话：18207603663
Q Q:
联系人：刘先生
电话：18390902447
Q Q:
联系人：小柯
电话：13332931905
Q Q:
联系人：石满满
电话：13051098960
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：刘群
电话：13129599479
Q Q:
联系人：许强
电话：15989438418
Q Q:
联系人：刘丹
电话：13682527286
Q Q:
联系人：刘
电话：15915445455
Q Q:
