型号:  SISS66DN-T1-GE3

功能描述:  MOSFET N-CH 30V W/SCHOTTKY PP 12

制造商:  Vishay Siliconix

包装:  Digi-Reel® 得捷定制卷带

系列:  TrenchFET® Gen IV

零件状态:  有源

FET 类型:  N 通道

技术:  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）:  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:  49.1A（Ta），178.3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:  4.5V，10V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）:  1.38 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:  2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）:  85.5nC @ 10V

Vgs（最大值）:  +20V，-16V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:  3327pF @ 15V

FET 功能:  肖特基二极管（体）

功率耗散（最大值）:  5.1W (Ta), 65.8W (Tc)

工作温度:  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型:  表面贴装型

供应商器件封装:  PowerPAK® 1212-8S

封装/外壳:  PowerPAK® 1212-8S