型号: SIZ730DT-T1-GE3
功能描述:
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： 2 个 N 通道（半桥）
FET功能： 逻辑电平门
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 16A，35A
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 9.3 毫欧 @ 15A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 24nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 830pF @ 15V
功率-最大值： 27W，48W
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-PowerPair™
封装形式Package： WDFN-6
极性Polarity： Dual N
漏源极击穿电压VDSS： 30V
连续漏极电流ID： 12.9A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 7.5mOhms,3.2mOhms
栅源极阀值电压VGS(th)： 2.2V
无铅情况/RoHs： 否
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
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