型号: SIZ914DT-T1-GE3
功能描述: Vishay Siliconix/分立半导体产品
制造商: Vishay Siliconix
产品培训模块: 30 V TrenchFET Gen IV MOSFET and PowerPAIR
标准包装: 3,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 阵列
系列: TrenchFET®
包装: 带卷(TR)
FET 类型: 2 个 N 通道(半桥)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 16A,40A
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 6.4 毫欧 @ 19A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 26nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 1208pF @ 15V
功率 - 最大值: 22.7W,100W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: 8-PowerPair®
其它名称: SIZ914DT-T1-GE3TR
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