型号:  SIZ998DT-T1-GE3

功能描述:  MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

制造商:  Vishay / Siliconix

制造商:  Vishay

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PowerPAIR-6x5-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  20 A, 60 A

Rds On-漏源导通电阻:  4.7 mOhms, 2.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  - 16 V, 20 V

Qg-栅极电荷:  18 nC, 44.3 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  20.2 W, 32.9 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

商标名:  TrenchFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.8 mm

长度:  6 mm

系列:  SIZ

晶体管类型:  2 N-Channel

宽度:  5 mm

商标:  Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:  80 S, 165 S

下降时间:  10 ns, 10 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  65 ns, 65 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  10 ns, 17 ns

典型接通延迟时间:  15 ns, 25 ns