型号: SIZF360DT-T1-GE3
功能描述: MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC
制造商: Vishay Siliconix
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列: TrenchFET® Gen IV
零件状态: 有源
FET 类型: 2 个 N 通道（双），肖特基
FET 功能: 标准
漏源电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 23A（Ta），83A（Tc），34A（Ta），143A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 4.5 毫欧 @ 10A，10V，1.9 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 22nC，62nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1100pF，3150pF @ 15V
功率 - 最大值: 3.8W（Ta），52W（Tc），4.3W（Ta），78W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-PowerPair™
供应商器件封装: 6-PowerPair™
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