型号: SIZ980BDT-T1-GE3
功能描述: MOSFET DUAL N-CH 30V PPAIR 6 X 5
制造商: Vishay Siliconix
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列: TrenchFET® Gen IV
零件状态: 有源
FET 类型: 2 个 N 通道（双），肖特基
FET 功能: 标准
漏源电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 23.7A（Ta），54.8A（Tc），54.3A（Ta），197A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 4.39 毫欧 @ 15A，10V，1.06 毫欧 @ 19A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 18nC，79nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 790pF，3655pF @ 15V
功率 - 最大值: 3.8W（Ta），20W（Tc），5W（Ta），66W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerPair™
供应商器件封装: 8-PowerPair™
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