型号:  SIZ918DT-T1-GE3

功能描述:  MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

制造商:  Vishay / Siliconix

制造商:  Vishay

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PowerPAIR-6x5-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  16 A, 28 A

Rds On-漏源导通电阻:  12 mOhms, 3.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V, 1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  14 nC, 67.3 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  29 W, 100 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

商标名:  TrenchFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  SIZ

晶体管类型:  2 N-Channel

商标:  Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:  47 S, 116 S

下降时间:  10 ns, 10 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  12 ns, 22 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  20 ns, 40 ns

典型接通延迟时间:  10 ns, 15 ns

零件号别名:  SIZ918DT-GE3