型号:  SPI11N60C3XKSA1

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

RoHS：  符合 RoHS

标准包装数量：  500

公司名称：  CoolMOS

晶体管极性：  N-Channel

Vds - 漏-源击穿电压：  650 V

Id - C连续漏极电流：  11 A

Rds On - 漏-源电阻：  0.38 0hms

封装/外壳：  PG-TO262-3

系列：  SPI11N60

品牌：  InFineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  11A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  3.9V @ 500µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  60nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1200pF @ 25V

功率耗散（最大值）：  125W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  380 毫欧 @ 7A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  通孔

供应商器件封装：  PG-TO262-3-1

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs