型号: SPP11N60C3HKSA1
功能描述: Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N60C3HKSA1, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
制造商: Infineon Technologies
通道类型： N
最大连续漏极电流： 11 A
最大漏源电压： 600 V
最大漏源电阻值： 380 m0hms
最大栅阈值电压： 3.9V
最小栅阈值电压： 2.1V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： TO-220
安装类型： 通孔
引脚数目： 3
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 125 W
高度： 4.4mm
每片芯片元件数目： 1
尺寸： 8.64 x 10.26 x 4.4mm
宽度： 10.26mm
系列： CoolMOS C3
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 45 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 1200 pF@ 25 V
典型关断延迟时间： 44 ns
典型接通延迟时间： 10 ns
最低工作温度： -55 °C
最高工作温度： +150 °C
长度： 8.64mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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