型号: SQD50N03-06P-GE3
功能描述: MOSFET 30V 84A 88W 6.5mohm @ 10V
制造商: Vishay / Siliconix
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 50 A
导通电阻: 6 mOhms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252
封装: Reel
商标: Vishay / Siliconix
下降时间: 10 ns
栅极电荷 Qg: 25.2 nC
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 8.3 W
上升时间: 12 ns
系列: SQD50xxx
工厂包装数量: 2000
典型关闭延迟时间: 30 ns
ROHS: 含铅
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