型号: SQM110N10-09-GE3
功能描述: MOSFET N-CH D-S 100V TO263
制造商: Vishay Siliconix
标准包装： 800
类别： 分立式导体产品
家庭： FET - 单
系列： TrenchFET®
包装： 带卷 (TR)
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压 (Vdss)： 100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）： 120A （Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）： 9.5 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）： 3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： 180nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： 8645pF @ 25V
功率 - 最大值： 375W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装： TO-263（D2Pak）
ROHS： 无铅
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