型号:  SSM3J111TU(TE85L)

功能描述:   MOSFET Vds=-20V Id=-1A 3Pin

制造商:  Toshiba

标准包装：  3,000

FET 型 ：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  20V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  1A

Rds（最大）@ ID，VGS：  480 mOhm @ 300mA, 4V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1.1V @ 100µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  -

输入电容（Ciss）@ Vds的：  160pF @ 10V

功率 - 最大：  500mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  3-SMD, Flat Leads

供应商器件封装：  UFM (2.0x2.1)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

工厂包装数量：  3000

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  P-Channel

连续漏极电流：  - 1 A

正向跨导 - 闵：  1.2 S / 0.6 S

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  530 mOhms

封装：  Reel

功率耗散：  800 mW

封装/外壳：  SOT-323

配置：  Single

漏源击穿电压：  - 20 V

RoHS：  In Transition