型号:  SSM3J332R,LF

功能描述:  MOSFET SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS

制造商:  Toshiba

制造商:  Toshiba

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-23F-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  6 A

Rds On-漏源导通电阻:  144 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  500 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  1.8 V

Qg-栅极电荷:  8.2 nC

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.9 mm

长度:  2.9 mm

系列:  SSM3J332

晶体管类型:  1 P-Channel

宽度:  1.3 mm

商标:  Toshiba

正向跨导 - 最小值:  5.7 S

产品类型:  MOSFET

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  75 ns

典型接通延迟时间:  15 ns

单位重量:  8 mg