型号: SSM3K35MFV,L3F
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 180mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1V @ 1mA
Vgs（最大值）： ±10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 9.5pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 3V
功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 3 欧姆 @ 50mA，4V
工作温度： 150°C
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： VESM
封装/外壳： SOT-723
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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