型号: SSM3K361R
功能描述: Toshiba N沟道 MOSFET SSM3K361R, 3.5 A, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23F封装
制造商: Toshiba
通道类型: N
最大连续漏极电流: 3.5 A
最大漏源电压: 100 V
最大漏源电阻值: 92 m0hms
最大栅阈值电压: 2.5V
最小栅阈值电压: 1.5V
最大栅源电压: ±20 V
封装类型: SOT-23F
安装类型: 表面贴装
引脚数目: 3
晶体管配置: 单
通道模式: 增强
最大功率耗散: 2.4 W
典型接通延迟时间: 21 ns
典型关断延迟时间: 16 ns
典型输入电容值@Vds: 430 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
每片芯片元件数目: 1
宽度: 1.8mm
长度: 2.9mm
高度: 0.7mm
尺寸: 2.9 x 1.8 x 0.7mm
汽车标准: AEC-Q101
最高工作温度: +175 °C
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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