型号: SSM6J213FE(TE85L,F
功能描述: MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -2.6A -20V 290pF
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: ES6-6
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 2.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 250 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 8 V
Qg-栅极电荷: 4.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW (1/2 W)
配置: Single
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.55 mm
长度: 1.6 mm
系列: SSM6J213
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 1.2 mm
商标: Toshiba
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 4000
子类别: MOSFETs
单位重量: 36 mg
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