型号: SSM6J502NU,LF(T
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表： SSM6J502NU -
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平栅极，1.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 6A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 23.1 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 24.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1800pF @ 10V
功率 - 最大值： 1W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装： 6-UDFN（2x2）
其它名称： SSM6J502NU,LFSSM6J502NULFSSM6J502NULF(TTRSSM6J502NULFTRSSM6J502NULFTR-ND
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