型号: SSM6J507NU,LF
功能描述: MOSFET Small Signal MOSFET V=30V, I-10A
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: UDFN6B-6
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 10 A
Rds On-漏源导通电阻: 20 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 13.6 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.75 mm
长度: 2 mm
系列: SSM6J507
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 2 mm
商标: Toshiba
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 170 ns
典型接通延迟时间: 55 ns
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