型号: SSM6J512NU,LF
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，8V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 19.5nC @ 4.5V
Vgs（最大值）： ±10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1400pF @ 6V
功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 16.2 毫欧 @ 4A，8V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 6-UDFNB（2x2）
封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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