型号:  SSM6J503NU,LF

功能描述:   PB-FREE TRANSISTORS SMALL-SIGN

制造商:  Toshiba

标准包装：  3,000

FET 型 ：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate, 1.5V Drive

漏极至源极电压（VDSS）：  20V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  6A

Rds（最大）@ ID，VGS：  32.4 mOhm @ 3A, 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  12.8nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  840pF @ 10V

功率 - 最大：  1W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  6-WDFN Exposed Pad

供应商器件封装：  6-uDFN (2x2)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

动态目录：  P-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/p-channel-logic-level-gate-fets/16563?mpart=SSM6J503NU,LF&vendor=264&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；

FET特点：  Logic Level Gate, 1.5V Drive

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  6A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1V @ 1mA

供应商设备封装：  6-uDFN (2x2)

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  32.4 mOhm @ 3A, 4.5V

FET型：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  1W

标准包装：  3,000

漏极至源极电压（Vdss）：  20V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  840pF @ 10V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  12.8nC @ 10V

封装/外壳：  6-WDFN Exposed Pad

其他名称：  SSM6J503NULFCT

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

安装风格：  SMD/SMT

晶体管极性：  P-Channel

源极击穿电压：  8 V

连续漏极电流：  - 6 A

RDS（ON）：  89.6 mOhms

功率耗散：  1 W

封装/外壳：  UDFN-6

漏源击穿电压：  - 20 V

RoHS：  RoHS Compliant