型号:  SSM6L14FE(TE85L,F)

功能描述:  MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V

制造商:  Toshiba

制造商:  Toshiba

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-563-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  80 mA, 720 mA

Rds On-漏源导通电阻:  240 mOhms, 300 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  350 mV, 1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V, 8 V

Qg-栅极电荷:  2 nC, 1.76 nC

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  150 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

高度:  0.55 mm

长度:  1.6 mm

系列:  SSM6L14FE

宽度:  1.2 mm

商标:  Toshiba

正向跨导 - 最小值:  1.05 S, 850 mS

产品类型:  MOSFET

工厂包装数量:  4000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  50 ns, 38 ns

典型接通延迟时间:  18 ns, 11 ns

单位重量:  3 mg