型号: STB18NM60ND
功能描述: MOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A FDmesh II
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 13 A
Rds On-漏源导通电阻: 290 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
Qg-栅极电荷: 34 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 130 W
配置: Single
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: STB18NM60ND
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: STMicroelectronics
下降时间: 18 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 15.5 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 13 ns
典型接通延迟时间: 55 ns
单位重量: 4 g
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