型号: STB20NM60
功能描述: N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET
制造商: STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
典型关断延迟时间: 42 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
典型栅极电荷@Vgs: 39 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds: 1500 pF V @ 25
安装类型: 表面贴装
宽度: 9.35mm
封装类型: D2PAK
尺寸: 10.4 x 9.35 x 4.6mm
引脚数目: 3
最低工作温度: -65 °C
最大功率耗散: 192000 mW
最大栅源电压: ±30 V
最大漏源电压: 600 V
最大漏源电阻值: 0.29
最大连续漏极电流: 20 A
最高工作温度: +150 °C
每片芯片元件数目: 1
类别: 功率 MOSFET
通道模式: 增强
通道类型: N
配置: 单
长度: 10.4mm
高度: 4.6mm
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Q Q:
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