型号: STD5N20
功能描述: N - CHANNEL 200V - 0.7ohm - 5A - TO-251/TO-252 POWER MOS TRANSISTOR
制造商: STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
典型接通延迟时间: 18 ns
典型栅极电荷@Vgs: 19 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds: 350 pF V @ 25
安装类型: 表面贴装
宽度: 6.2mm
封装类型: DPAK
尺寸: 6.6 x 6.2 x 2.4mm
引脚数目: 3
最低工作温度: -65 °C
最大功率耗散: 45000 mW
最大栅源电压: ±20 V
最大漏源电压: 200 V
最大漏源电阻值: 0.8
最大连续漏极电流: 5 A
最高工作温度: +150 °C
每片芯片元件数目: 1
类别: 功率 MOSFET
通道模式: 增强
通道类型: N
配置: 单
长度: 6.6mm
高度: 2.4mm
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