型号:  STI20N65M5

功能描述:  MOSFET N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-262-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  650 V

Id-连续漏极电流:  18 A

Rds On-漏源导通电阻:  160 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  4 V

Vgs - 栅极-源极电压:  25 V

Qg-栅极电荷:  36 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  130 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  MDmesh

封装:  Tube

系列:  STI20N65M5

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  7.5 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  7.5 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

单位重量:  1.438 g