型号: STI3N62K3
功能描述: STI3N62K3, N-channel MOSFET Transistor, 2.7A 620V I2PAK
制造商: STMicroelectronics
类别： Power MOSFET
通道模式： Enhancement
渠道类型： N
最大连续漏极电流： 2.7 A
最大漏源电阻： 2.5 Ω
最大漏源电压： 620 V
最大门源电压： ±30 V
最高工作温度： +150 °C
安装类型： Through Hole
每个芯片的元件数： 1
包装类型： I2PAK
典型栅极电荷@ VGS： 13 nC @ 10 V
典型输入电容@ VDS： 385 pF @ 25 V
典型关闭延迟时间： 22 ns
典型导通延迟时间： 9 ns
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