型号: STMSTB19NM65N
功能描述: Trans MOSFET N-CH 650V 15.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
制造商: stmicroelectronics
包装： 3D2PAK
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 650 V
最大连续漏极电流： 15.5 A
RDS -于： 270@10V mOhm
最大门源电压： ±25 V
典型导通延迟时间： 25 ns
典型上升时间： 8 ns
典型关闭延迟时间： 80 ns
典型下降时间： 26 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
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