型号:  STQ1HN60K3-AP

功能描述:  MOSFET N-Ch 600V 6.4 Ohm 1.2A SuperMESH3 FET

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-92-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  400 mA

Rds On-漏源导通电阻:  6.7 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  3.75 V

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

Qg-栅极电荷:  9.5 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  3 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  SuperMESH

封装:  Ammo Pack

系列:  STQ1HN60K3-AP

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  31 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  10 ns

工厂包装数量:  2000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  23 ns

典型接通延迟时间:  7 ns

单位重量:  220 mg