型号: STW16NK60Z
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
系列： SuperMESH™
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 14A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 50µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 86nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2650pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±30V
功率耗散（最大值）： 190W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 420 毫欧 @ 7A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
封装形式Package： TO-247
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 600V
连续漏极电流ID： 14A
无铅情况/RoHs： 否
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
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Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：连
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Q Q:
