型号: STW16NK60Z
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
系列: SuperMESH™
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 14A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 50µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 86nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 2650pF @ 25V
Vgs(最大值): ±30V
功率耗散(最大值): 190W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 420 毫欧 @ 7A,10V
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
封装形式Package: TO-247
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 600V
连续漏极电流ID: 14A
无铅情况/RoHs: 否
联系人:Alien
联系人:余先生,张先生
电话:13826514222
联系人:陈泽辉
电话:13360071553
联系人:连
电话:18922805453
联系人:杨先生
电话:13360063783
联系人:蔡小姐
电话:18129819897
联系人:陈敏
电话:17302670049
联系人:郭泽欣
电话:13416469727
Q Q:
联系人:余婷婷
电话:18181446423
Q Q:
联系人:朱先生
电话:13925279453